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金蝕刻劑TFA
高純度，低鈉含量，0.2微米級過濾，用于微型電子產(chǎn)品，蝕刻金和鎳
金蝕刻劑TFA/GE-8148
說明
金薄膜蝕刻劑在光刻法制作微電子線路中用以選擇蝕刻金。和光刻技術(shù)相結(jié)合這些蝕刻劑可在氧化鋁或其他基板上的薄膜上制作精密電極和電阻圖案。其純度高鈉含量低，0.2微米過濾，可用于半導(dǎo)體和微型電子產(chǎn)品。
金蝕刻劑TFA，不含氰化物，用于制作標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品
金蝕刻劑GE-8148，不含氰化物，不浸蝕鎳膜
TFA
GE-8148
操作溫度
室溫
室溫
通風(fēng)
建議用通風(fēng)櫥
建議用通風(fēng)櫥
攪拌
攪拌可加快蝕刻速率
攪拌可加快蝕刻速率
罐
玻璃
玻璃
蝕刻速率，25℃
28 ? /秒
50 ? /秒
組成
液體中含KI-I2絡(luò)合物
液體中含KI-I2絡(luò)合磷酸鹽化合物
PH（20℃）
8.15±0.2
密度（20℃）
1.265±0.01
蝕刻能力（g/加侖）
100
100
光刻膠相匹配性
陰，陽光刻膠
陰，陽光刻膠
沖洗
蒸溜水，去離子水
蒸溜水，去離子水
廢液處理
按國家有關(guān)規(guī)定處理
雜質(zhì)最大含量
(ppm)
鈉（Na）
40
氯和溴（CL）
100
鉛(Pb)
5
鐵(Fe)
3
硫(作為硫酸鹽)
50
磷(作為磷酸鹽)
10
金蝕刻劑TFAC
(用于金屬間化合物基板)
說明
金蝕刻劑TFAC是用于在砷化鎵、磷化鎵以及其他金屬間化合物基板上制作微型電子線路的選擇性蝕刻劑。金蝕刻劑蝕刻線條精細(xì)，邊下蝕低。這些氰化物蝕刻劑蝕刻速率均勻，金蝕刻劑TFAC從銅、黃銅、青銅、鎳和其他有色金屬上（銀除外）刻蝕金。
性質(zhì)
操作溫度
室溫
通風(fēng)
通風(fēng)櫥
攪拌
攪拌加快蝕刻速率
罐材
聚丙烯
蝕刻速率，25℃
5-10 ? /秒
蝕刻速率，60℃
30 ? /秒
組成
含氰化物粉。使用前用水稀釋(8盎司/加侖)
蝕刻能力，60℃
65×10-6英寸/2分
沖洗
水
處理
見下面
應(yīng)用
將水加熱于50℃以幫助溶解。在每加侖去離子水中加8盎司金蝕刻劑TFAC粉，蝕刻導(dǎo)體圖案去除金膜，蝕刻時(shí)間長短依膜厚度而定，保存蝕刻廢液回收其中的金。
廢液處理：分離溶液。氰化物小心按照國家和地方有關(guān)規(guī)定處理。
